সমতুল্য:
● জন ক্রেন S32D
অপারেটিং সীমা:
● তাপমাত্রা: -20℃ - +220℃
● চাপ: ≤ 10 বার
● গতি: ≤ 10 মি/সেকেন্ড
● খাদ আকার: 25 মিমি - 125 মিমি
উপকরণ:
● সীল রিং: রজন কার্বন, অ্যান্টিমনি কার্বন, SIC, SSIC, টংস্টেন কার্বাইড
● ইলাস্টোমার: FKM, FFKM, EPDM, AFLAS, NBR
● ধাতু অংশ: SS304, SS316, ডুপ্লেক্স, Hastelloy C, 904L
সমাবেশ Dwg:
*সম্পর্কিত ভূমিকা*
সিলিকন কার্বাইডের বিকাশের ইতিহাস
সিলিকন কার্বাইড হল এক ধরনের কার্বাইড যা 1891 সালে ইলেক্ট্রোফিউশন হীরা পরীক্ষার সময় আমেরিকান অ্যাচেসন দ্বারা পরীক্ষাগারে দুর্ঘটনাক্রমে আবিষ্কৃত হয়েছিল। সেই সময়ে, এটিকে হীরার মিশ্রণ বলে ভুল করা হয়েছিল, তাই এর নামকরণ করা হয়েছিল এমেরি। এটি 1893 সালে Acheson দ্বারা গবেষণা করা হয়েছিল। সিলিকন কার্বাইড গলানোর শিল্প পদ্ধতি, যা সাধারণত Acheson ফার্নেস হিসাবে পরিচিত, এখন পর্যন্ত ব্যবহৃত হয়েছে। ফার্নেস কোর হিসাবে কার্বনেসিয়াস উপাদান সহ রেজিস্ট্যান্স ফার্নেস সিলিকন কার্বাইড উত্পাদন করতে কোয়ার্টজ SiO2 এবং কার্বনের মিশ্রণকে উত্তপ্ত করার জন্য শক্তিযুক্ত হয়।
সিলিকন কার্বাইড সম্পর্কে বেশ কয়েকটি ঘটনা:
1905 সালে, সিলিকন কার্বাইড প্রথম একটি উল্কাপিণ্ডে আবিষ্কৃত হয়েছিল।
1907 সালে, প্রথম সিলিকন কার্বাইড স্ফটিক আলো-নির্গত ডায়োডের জন্ম হয়েছিল।
1955 সালে, তত্ত্ব এবং প্রযুক্তিতে একটি বড় অগ্রগতি, LELY ক্রমবর্ধমান উচ্চ-মানের কার্বনাইজেশনের ধারণা প্রস্তাব করেছিল এবং তারপর থেকে একটি গুরুত্বপূর্ণ ইলেকট্রনিক উপাদান হিসাবে SiC ব্যবহার করেছিল।
1958 সালে, প্রথম বিশ্ব সিলিকন কার্বাইড সম্মেলন বোস্টনে একাডেমিক বিনিময়ের জন্য অনুষ্ঠিত হয়েছিল।
1978 সালে, সিলিকন কার্বাইড মূলত 1960 এবং 1970 এর দশকে প্রাক্তন সোভিয়েত ইউনিয়ন দ্বারা গবেষণা করা হয়েছিল। 1978 সালের মধ্যে, শস্য পরিশোধন এবং বৃদ্ধির পদ্ধতি"LELY উন্নত প্রযুক্তি" প্রথমবারের মতো গৃহীত হয়েছিল।
1987 থেকে এখন পর্যন্ত, CREE-এর গবেষণার ফলাফলের ভিত্তিতে একটি সিলিকন কার্বাইড উত্পাদন লাইন প্রতিষ্ঠিত হয়েছিল এবং সরবরাহকারীরা বাণিজ্যিক সিলিকন কার্বাইড বেস সরবরাহ করতে শুরু করেছিল।
গরম ট্যাগ: s32d কার্টিজ সীল, চীন, সরবরাহকারী, নির্মাতারা, কারখানা, কাস্টমাইজড, ক্রয়, গুণমান, মূল্য তালিকা, উদ্ধৃতি, কম দাম, চীনে তৈরি
